1N5417US

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Numero parte 1N5417US
LIXINC Part # 1N5417US
Produttore Roving Networks / Microchip Technology
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 1N5417US Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

1N5417US Specifiche

Numero parte:1N5417US
Marca:Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Roving Networks / Microchip Technology
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):200 V
corrente - media rettificata (io):3A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.5 V @ 9 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):150 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:1 µA @ 200 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:E-MELF
pacchetto del dispositivo del fornitore:D-5B
temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C

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