S3JHE3_A/I

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Numero parte S3JHE3_A/I
LIXINC Part # S3JHE3_A/I
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD S3JHE3_A/I Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

S3JHE3_A/I Specifiche

Numero parte:S3JHE3_A/I
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):600 V
corrente - media rettificata (io):3A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.15 V @ 2.5 A
velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):2.5 µs
corrente - dispersione inversa @ vr:10 µA @ 600 V
capacità @ vr, f:60pF @ 4V, 1MHz
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:DO-214AB, SMC
pacchetto del dispositivo del fornitore:DO-214AB (SMC)
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C

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