RJP60F5DPK-01#T0

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Numero parte RJP60F5DPK-01#T0
LIXINC Part # RJP60F5DPK-01#T0
Produttore Renesas Electronics America
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT 600V 80A 260.4W
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RJP60F5DPK-01#T0 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 11 - Oct 15 2024(Scegli spedizione rapida)
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RJP60F5DPK-01#T0 Specifiche

Numero parte:RJP60F5DPK-01#T0
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Renesas Electronics America
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo igbt:-
tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
corrente - collettore (ic) (max):80 A
corrente - collettore pulsato (icm):160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:1.8V @ 15V, 40A
potenza - max:260.4 W
energia di commutazione:-
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:74 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:53ns/90ns
condizione di test:400V, 30A, 5Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):-
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-3P-3, SC-65-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-3P

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