NGTB50N65FL2WG

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Numero parte NGTB50N65FL2WG
LIXINC Part # NGTB50N65FL2WG
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NGTB50N65FL2WG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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NGTB50N65FL2WG Specifiche

Numero parte:NGTB50N65FL2WG
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo igbt:Trench Field Stop
tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
corrente - collettore (ic) (max):100 A
corrente - collettore pulsato (icm):200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 50A
potenza - max:417 W
energia di commutazione:1.5mJ (on), 460µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:220 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:100ns/237ns
condizione di test:400V, 50A, 10Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):94 ns
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-247-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247-3

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