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Numero parte | HGTG11N120CND |
LIXINC Part # | HGTG11N120CND |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - igbt - singolo |
Descrizione | IGBT NPT 1200V 43A TO247-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | HGTG11N120CND Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | HGTG11N120CND |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - igbt - singolo |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Not For New Designs |
tipo igbt: | NPT |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 1200 V |
corrente - collettore (ic) (max): | 43 A |
corrente - collettore pulsato (icm): | 80 A |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 2.4V @ 15V, 11A |
potenza - max: | 298 W |
energia di commutazione: | 950µJ (on), 1.3mJ (off) |
tipo di ingresso: | Standard |
carica di cancello: | 100 nC |
td (acceso/spento) @ 25°c: | 23ns/180ns |
condizione di test: | 960V, 11A, 10Ohm, 15V |
tempo di ripristino inverso (trr): | 70 ns |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto/caso: | TO-247-3 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-247-3 |
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FGA6540WDF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 1270 Maggiori informazioni su Ordine |
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IKB30N65EH5ATMA1 | IKB30N65 - TRENCHSTOPT HIGH SPEE | 1973 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 11022 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.55000 | $3.55 |
10 | $3.18597 | $31.8597 |
450 | $2.47621 | $1114.2945 |
900 | $2.22188 | $1999.692 |
1350 | $1.87389 | $2529.7515 |
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