HGTG11N120CND

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Numero parte HGTG11N120CND
LIXINC Part # HGTG11N120CND
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HGTG11N120CND Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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HGTG11N120CND Specifiche

Numero parte:HGTG11N120CND
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Not For New Designs
tipo igbt:NPT
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):43 A
corrente - collettore pulsato (icm):80 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 11A
potenza - max:298 W
energia di commutazione:950µJ (on), 1.3mJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:100 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:23ns/180ns
condizione di test:960V, 11A, 10Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):70 ns
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-247-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247-3

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