HGT1S3N60A4DS9A

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Numero parte HGT1S3N60A4DS9A
LIXINC Part # HGT1S3N60A4DS9A
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione N-CHANNEL IGBT
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HGT1S3N60A4DS9A Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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HGT1S3N60A4DS9A Specifiche

Numero parte:HGT1S3N60A4DS9A
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo igbt:-
tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
corrente - collettore (ic) (max):17 A
corrente - collettore pulsato (icm):40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 3A
potenza - max:70 W
energia di commutazione:37µJ (on), 25µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:21 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:6ns/73ns
condizione di test:390V, 3A, 50Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):29 ns
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-263AB

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