IXXP12N65B4D1

IXXP12N65B4D1
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Numero parte IXXP12N65B4D1
LIXINC Part # IXXP12N65B4D1
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXXP12N65B4D1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IXXP12N65B4D1 Specifiche

Numero parte:IXXP12N65B4D1
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:XPT™, GenX4™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo igbt:-
tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
corrente - collettore (ic) (max):38 A
corrente - collettore pulsato (icm):70 A
vce(on) (max) @ vge, ic:1.95V @ 15V, 12A
potenza - max:160 W
energia di commutazione:440µJ (on), 220µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:34 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:13ns/158ns
condizione di test:400V, 12A, 20Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):43 ns
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-220-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220AB

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