FGD3N60LSDTM-T

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Numero parte FGD3N60LSDTM-T
LIXINC Part # FGD3N60LSDTM-T
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FGD3N60LSDTM-T Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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FGD3N60LSDTM-T Specifiche

Numero parte:FGD3N60LSDTM-T
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo igbt:-
tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
corrente - collettore (ic) (max):6 A
corrente - collettore pulsato (icm):25 A
vce(on) (max) @ vge, ic:1.5V @ 10V, 3A
potenza - max:40 W
energia di commutazione:250µJ (on), 1mJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:12.5 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:40ns/600ns
condizione di test:480V, 3A, 470Ohm, 10V
tempo di ripristino inverso (trr):234 ns
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252, (D-Pak)

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