FGY75N60SMD

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Numero parte FGY75N60SMD
LIXINC Part # FGY75N60SMD
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FGY75N60SMD Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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FGY75N60SMD Specifiche

Numero parte:FGY75N60SMD
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo igbt:Field Stop
tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
corrente - collettore (ic) (max):150 A
corrente - collettore pulsato (icm):225 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 75A
potenza - max:750 W
energia di commutazione:2.3mJ (on), 770µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:248 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:24ns/136ns
condizione di test:400V, 75A, 3Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):55 ns
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-247-3 Variant
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerTO-247-3

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