HGTG30N60A4

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Numero parte HGTG30N60A4
LIXINC Part # HGTG30N60A4
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT 600V 75A TO247-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HGTG30N60A4 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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HGTG30N60A4 Specifiche

Numero parte:HGTG30N60A4
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo igbt:-
tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
corrente - collettore (ic) (max):75 A
corrente - collettore pulsato (icm):240 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.6V @ 15V, 30A
potenza - max:463 W
energia di commutazione:280µJ (on), 240µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:225 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:25ns/150ns
condizione di test:390V, 30A, 3Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):-
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-247-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247-3

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