FGA30N65SMD

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Numero parte FGA30N65SMD
LIXINC Part # FGA30N65SMD
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FGA30N65SMD Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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FGA30N65SMD Specifiche

Numero parte:FGA30N65SMD
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo igbt:Field Stop
tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
corrente - collettore (ic) (max):60 A
corrente - collettore pulsato (icm):90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 30A
potenza - max:300 W
energia di commutazione:716µJ (on), 208µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:87 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:14ns/102ns
condizione di test:400V, 30A, 6Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):35 ns
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-3P-3, SC-65-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-3PN

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