HGTP12N60A4D

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Numero parte HGTP12N60A4D
LIXINC Part # HGTP12N60A4D
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT 600V 54A TO220-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HGTP12N60A4D Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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HGTP12N60A4D Specifiche

Numero parte:HGTP12N60A4D
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Last Time Buy
tipo igbt:-
tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
corrente - collettore (ic) (max):54 A
corrente - collettore pulsato (icm):96 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 12A
potenza - max:167 W
energia di commutazione:55µJ (on), 50µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:78 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:17ns/96ns
condizione di test:390V, 12A, 10Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):30 ns
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-220-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220-3

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