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Numero parte | STGW80H65DFB |
LIXINC Part # | STGW80H65DFB |
Produttore | STMicroelectronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - igbt - singolo |
Descrizione | IGBT 650V 120A 469W TO-247 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | STGW80H65DFB Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | STGW80H65DFB |
Marca: | STMicroelectronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - igbt - singolo |
Produttore: | STMicroelectronics |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo igbt: | Trench Field Stop |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 650 V |
corrente - collettore (ic) (max): | 120 A |
corrente - collettore pulsato (icm): | 240 A |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 2V @ 15V, 80A |
potenza - max: | 469 W |
energia di commutazione: | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
tipo di ingresso: | Standard |
carica di cancello: | 414 nC |
td (acceso/spento) @ 25°c: | 84ns/280ns |
condizione di test: | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
tempo di ripristino inverso (trr): | 85 ns |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto/caso: | TO-247-3 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-247 |
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In magazzino | 10980 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $6.56000 | $6.56 |
30 | $5.71270 | $171.381 |
120 | $5.02121 | $602.5452 |
510 | $4.43227 | $2260.4577 |
1020 | $3.92015 | $3998.553 |
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