HGTD1N120BNS9A | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

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Numero parte	HGTD1N120BNS9A
LIXINC Part #	HGTD1N120BNS9A
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - singolo
Descrizione	IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	HGTD1N120BNS9A Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

HGTD1N120BNS9A Specifiche

Numero parte:	HGTD1N120BNS9A
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - singolo
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo igbt:	NPT
tensione - guasto collettore emettitore (max):	1200 V
corrente - collettore (ic) (max):	5.3 A
corrente - collettore pulsato (icm):	6 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.9V @ 15V, 1A
potenza - max:	60 W
energia di commutazione:	70µJ (on), 90µJ (off)
tipo di ingresso:	Standard
carica di cancello:	14 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:	15ns/67ns
condizione di test:	960V, 1A, 82Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):	-
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-252AA

FGH60T65SHD-F155	IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247	44822120 Maggiori informazioni su Ordine
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