FGB20N60SFD | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGB20N60SFD

FGB20N60SFD

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Numero parte	FGB20N60SFD
LIXINC Part #	FGB20N60SFD
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - singolo
Descrizione	IGBT 600V 40A 208W D2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FGB20N60SFD Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FGB20N60SFD Specifiche

Numero parte:	FGB20N60SFD
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - singolo
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Last Time Buy
tipo igbt:	Field Stop
tensione - guasto collettore emettitore (max):	600 V
corrente - collettore (ic) (max):	40 A
corrente - collettore pulsato (icm):	60 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.8V @ 15V, 20A
potenza - max:	208 W
energia di commutazione:	370µJ (on), 160µJ (off)
tipo di ingresso:	Standard
carica di cancello:	65 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:	13ns/90ns
condizione di test:	400V, 20A, 10Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):	34 ns
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D²PAK

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