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IRFB59N10DPBF

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Numero parte	IRFB59N10DPBF
LIXINC Part #	IRFB59N10DPBF
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	SMPS HEXFET POWER MOSFET
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRFB59N10DPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRFB59N10DPBF Specifiche

Numero parte:	IRFB59N10DPBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	59A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 35.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	5.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	114 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2.45 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3.8W (Ta), 200W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220AB
pacchetto/caso:	TO-220-3

IPD50R3K0CEAUMA1	MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3	3231 Maggiori informazioni su Ordine
PSMN5R0-80PS,127	MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB	5774 Maggiori informazioni su Ordine
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DMTH6004SK3Q-13	MOSFET N-CH 60V 100A TO252	8870 Maggiori informazioni su Ordine
BUK6211-75C,118	MOSFET N-CH 75V 74A DPAK	1500 Maggiori informazioni su Ordine
IRFF433	N-CHANNEL POWER MOSFET	1202 Maggiori informazioni su Ordine
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SFP9540	MOSFET P-CH 100V 17A TO220-3	28185 Maggiori informazioni su Ordine
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PSMN2R6-60PS127	N-CHANNEL POWER MOSFET	940 Maggiori informazioni su Ordine
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