FDMS10C4D2N | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMS10C4D2N

FDMS10C4D2N

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Numero parte	FDMS10C4D2N
LIXINC Part #	FDMS10C4D2N
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDMS10C4D2N Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDMS10C4D2N Specifiche

Numero parte:	FDMS10C4D2N
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	17A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	65 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	4500 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	125W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-PQFN (5x6)
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

XP161A1355PR-G	MOSFET N-CH 20V 4A SOT89	827 Maggiori informazioni su Ordine
NVMFS5C442NLWFAFT1G	MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN	852 Maggiori informazioni su Ordine
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