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FDFMA3P029Z

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Numero parte	FDFMA3P029Z
LIXINC Part #	FDFMA3P029Z
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDFMA3P029Z Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDFMA3P029Z Specifiche

Numero parte:	FDFMA3P029Z
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	PowerTrench®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	3.3A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	-
rds su (max) @ id, vgs:	87mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (massimo):	-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	435 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	Schottky Diode (Isolated)
dissipazione di potenza (max):	1.4W (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	6-MicroFET (2x2)
pacchetto/caso:	6-VDFN Exposed Pad

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