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Numero parte | PMPB55ENEAX |
LIXINC Part # | PMPB55ENEAX |
Produttore | Nexperia |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | PMPB55ENEAX Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | PMPB55ENEAX |
Marca: | Nexperia |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Nexperia |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 4A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 56mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.7V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 12 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 435 pF @ 30 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1.65W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | DFN2020MD-6 |
pacchetto/caso: | 6-UDFN Exposed Pad |
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2SK2084L-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1914 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 13483 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.40000 | $0.4 |
3000 | $0.23460 | $703.8 |
6000 | $0.22140 | $1328.4 |
15000 | $0.20820 | $3123 |
30000 | $0.19896 | $5968.8 |
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