PMPB55ENEAX

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Numero parte PMPB55ENEAX
LIXINC Part # PMPB55ENEAX
Produttore Nexperia
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PMPB55ENEAX Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
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PMPB55ENEAX Specifiche

Numero parte:PMPB55ENEAX
Marca:Nexperia
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Nexperia
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:56mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.7V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:435 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.65W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DFN2020MD-6
pacchetto/caso:6-UDFN Exposed Pad

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