RQ3E180GNTB

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Numero parte RQ3E180GNTB
LIXINC Part # RQ3E180GNTB
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RQ3E180GNTB Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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RQ3E180GNTB Specifiche

Numero parte:RQ3E180GNTB
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:18A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:4.3mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:22.4 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1520 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2W (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-HSMT (3.2x3)
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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