FDP3652 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDP3652

FDP3652

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Numero parte	FDP3652
LIXINC Part #	FDP3652
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDP3652 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDP3652 Specifiche

Numero parte:	FDP3652
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Not For New Designs
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	9A (Ta), 61A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	16mOhm @ 61A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	53 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2880 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	150W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220-3
pacchetto/caso:	TO-220-3

NTD4809NH-1G	MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK	4463 Maggiori informazioni su Ordine
STW56N60M2	MOSFET N-CH 600V 52A TO247	5194 Maggiori informazioni su Ordine
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SI6423ADQ-T1-GE3	MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP	6985 Maggiori informazioni su Ordine
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DMP31D0UFB4-7B	MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN	1810330929 Maggiori informazioni su Ordine
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