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Numero parte | PMXB360ENEAZ |
LIXINC Part # | PMXB360ENEAZ |
Produttore | Nexperia |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | PMXB360ENEAZ Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | PMXB360ENEAZ |
Marca: | Nexperia |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Nexperia |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 80 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 1.1A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 450mOhm @ 1.1A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.7V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 4.5 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 130 pF @ 40 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 400mW (Ta), 6.25W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | DFN1010D-3 |
pacchetto/caso: | 3-XDFN Exposed Pad |
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In magazzino | 11140 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.33000 | $0.33 |
5000 | $0.12708 | $635.4 |
10000 | $0.11993 | $1199.3 |
25000 | $0.11135 | $2783.75 |
50000 | $0.10777 | $5388.5 |
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