PMXB360ENEAZ

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Numero parte PMXB360ENEAZ
LIXINC Part # PMXB360ENEAZ
Produttore Nexperia
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PMXB360ENEAZ Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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PMXB360ENEAZ Specifiche

Numero parte:PMXB360ENEAZ
Marca:Nexperia
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Nexperia
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.1A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:450mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.7V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:4.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:130 pF @ 40 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):400mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DFN1010D-3
pacchetto/caso:3-XDFN Exposed Pad

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