SPW35N60C3FKSA1

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Numero parte SPW35N60C3FKSA1
LIXINC Part # SPW35N60C3FKSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SPW35N60C3FKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SPW35N60C3FKSA1 Specifiche

Numero parte:SPW35N60C3FKSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolMOS™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:34.6A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:100mOhm @ 21.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.9V @ 1.9mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:200 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4500 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):313W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO247-3
pacchetto/caso:TO-247-3

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