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Numero parte | NTP60N06LG |
LIXINC Part # | NTP60N06LG |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NTP60N06LG Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NTP60N06LG |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 60A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 16mOhm @ 30A, 5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 65 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±15V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 3.075 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2.4W (Ta), 150W (Tj) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220AB |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
SIHG080N60E-GE3 | E SERIES POWER MOSFET TO-247AC, | 870 Maggiori informazioni su Ordine |
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RF4L040ATTCR | PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS | 807 Maggiori informazioni su Ordine |
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CSD25304W1015 | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | 921 Maggiori informazioni su Ordine |
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MIC94050YM4-TR | MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143 | 935 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10898 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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