TP65H050WS

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Numero parte TP65H050WS
LIXINC Part # TP65H050WS
Produttore Transphorm
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TP65H050WS Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
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TP65H050WS Specifiche

Numero parte:TP65H050WS
Marca:Transphorm
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Transphorm
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:34A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):12V
rds su (max) @ id, vgs:60mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.8V @ 700µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1000 pF @ 400 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):119W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247-3
pacchetto/caso:TO-247-3

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