TK560P65Y,RQ

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Numero parte TK560P65Y,RQ
LIXINC Part # TK560P65Y,RQ
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TK560P65Y,RQ Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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TK560P65Y,RQ Specifiche

Numero parte:TK560P65Y,RQ
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:DTMOSV
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:7A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:560mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 240µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:14.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:380 pF @ 300 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):60W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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