FQB19N10LTM

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Numero parte FQB19N10LTM
LIXINC Part # FQB19N10LTM
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FQB19N10LTM Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
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FQB19N10LTM Specifiche

Numero parte:FQB19N10LTM
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:QFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:19A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:100mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:18 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:870 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.75W (Ta), 75W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D²PAK (TO-263AB)
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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