IPD068N10N3GATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD068N10N3GATMA1 | IPD068N10N3GATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD068N10N3GATMA1

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Numero parte	IPD068N10N3GATMA1
LIXINC Part #	IPD068N10N3GATMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPD068N10N3GATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPD068N10N3GATMA1 Specifiche

Numero parte:	IPD068N10N3GATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	90A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	6.8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 90µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	68 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	4910 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	150W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO252-3
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIHG30N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC	1381 Maggiori informazioni su Ordine
RTF010P02TL	MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3	918 Maggiori informazioni su Ordine
TK11A45D(STA4,Q,M)	MOSFET N-CH 450V 11A TO220SIS	954 Maggiori informazioni su Ordine
AOT10N65	MOSFET N-CH 650V 10A TO220	991 Maggiori informazioni su Ordine
IPW60R299CPFKSA1	MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3	822 Maggiori informazioni su Ordine
NTD4809NHT4G	MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK	199822 Maggiori informazioni su Ordine
TSM15N50CI C0G	MOSFET N-CH 500V 14A ITO220AB	1857 Maggiori informazioni su Ordine
R5007ANJTL	MOSFET N-CH 500V 7A LPTS	864 Maggiori informazioni su Ordine
FQP8N80C	MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3	971 Maggiori informazioni su Ordine
FQPF85N06	MOSFET N-CH 60V 53A TO220F	1106 Maggiori informazioni su Ordine
ISL9N312AS3ST	N-CHANNEL POWER MOSFET	43328 Maggiori informazioni su Ordine
SPD50N03S2L-06G	N-CHANNEL POWER MOSFET	7419 Maggiori informazioni su Ordine
SQJ858AEP-T1_BE3	MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8	3941 Maggiori informazioni su Ordine