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Numero parte | 2SJ652-1E |
LIXINC Part # | 2SJ652-1E |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | 2SJ652-1E Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | 2SJ652-1E |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 28A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 38mOhm @ 14A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | - |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 80 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 4360 pF @ 20 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta), 30W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220F-3SG |
pacchetto/caso: | TO-220-3 Full Pack |
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In magazzino | 10928 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.22000 | $2.22 |
50 | $1.78662 | $89.331 |
100 | $1.60799 | $160.799 |
500 | $1.25064 | $625.32 |
1000 | $1.03624 | $1036.24 |
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