DMN1019UVT-13

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Numero parte DMN1019UVT-13
LIXINC Part # DMN1019UVT-13
Produttore Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD DMN1019UVT-13 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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DMN1019UVT-13 Specifiche

Numero parte:DMN1019UVT-13
Marca:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):12 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:10.7A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.2V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:800mV @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:50.4 nC @ 8 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2588 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.73W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TSOT-26
pacchetto/caso:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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