TN5335N8-G

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Numero parte TN5335N8-G
LIXINC Part # TN5335N8-G
Produttore Roving Networks / Microchip Technology
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TN5335N8-G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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TN5335N8-G Specifiche

Numero parte:TN5335N8-G
Marca:Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Roving Networks / Microchip Technology
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):350 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:230mA (Tj)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):3V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:15Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:110 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-243AA (SOT-89)
pacchetto/caso:TO-243AA

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