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Numero parte | SIHD7N60E-E3 |
LIXINC Part # | SIHD7N60E-E3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SIHD7N60E-E3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SIHD7N60E-E3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 7A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 600mOhm @ 3.5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 40 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 680 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 78W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | D-PAK (TO-252AA) |
pacchetto/caso: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
SIRA50ADP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK | 3720 Maggiori informazioni su Ordine |
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TK11A65W,S5X | MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS | 1006 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 10939 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
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