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Numero parte | IRFBE30PBF |
LIXINC Part # | IRFBE30PBF |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IRFBE30PBF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IRFBE30PBF |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 800 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 4.1A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 3Ohm @ 2.5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 78 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1300 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220AB |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
NTMFS4923NET1G | MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN | 2285 Maggiori informazioni su Ordine |
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PMV250EPEA215 | P-CHANNEL MOSFET | 141956 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10844 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.04000 | $2.04 |
50 | $1.64309 | $82.1545 |
100 | $1.47874 | $147.874 |
500 | $1.15010 | $575.05 |
1000 | $0.95294 | $952.94 |
2500 | $0.88722 | $2218.05 |
5000 | $0.85436 | $4271.8 |
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