SIR692DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix SIR692DP-T1-RE3 | SIR692DP-T1-RE3 Inventory, Best Pricing

SIR692DP-T1-RE3

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Numero parte	SIR692DP-T1-RE3
LIXINC Part #	SIR692DP-T1-RE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SIR692DP-T1-RE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SIR692DP-T1-RE3 Specifiche

Numero parte:	SIR692DP-T1-RE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	ThunderFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	250 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	24.2A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	7.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	63mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 7.5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1405 pF @ 125 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	104W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PowerPAK® SO-8
pacchetto/caso:	PowerPAK® SO-8

G3R45MT17D	SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3	879 Maggiori informazioni su Ordine
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RK7002BMT116	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3	91396 Maggiori informazioni su Ordine