IPI086N10N3GXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPI086N10N3GXKSA1 | IPI086N10N3GXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPI086N10N3GXKSA1

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Numero parte	IPI086N10N3GXKSA1
LIXINC Part #	IPI086N10N3GXKSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPI086N10N3GXKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPI086N10N3GXKSA1 Specifiche

Numero parte:	IPI086N10N3GXKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	80A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	8.6mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 75µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	55 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	3980 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	125W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO262-3
pacchetto/caso:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

HUF76143S3ST	N-CHANNEL POWER MOSFET	2273 Maggiori informazioni su Ordine
FDS7096N3	MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC	184778 Maggiori informazioni su Ordine
FQB8N90CTM	MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK	1281 Maggiori informazioni su Ordine
CSD16556Q5B	MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON	931 Maggiori informazioni su Ordine
ZDX080N50	MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM	1353 Maggiori informazioni su Ordine
FQP3N30	MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3	1057 Maggiori informazioni su Ordine
SI4090DY-T1-GE3	MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO	1682 Maggiori informazioni su Ordine
IPW60R280P6FKSA1	MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3	949 Maggiori informazioni su Ordine
IPW65R420CFDFKSA2	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3	804 Maggiori informazioni su Ordine
NTD4815N-1G	MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK	4023 Maggiori informazioni su Ordine
APT44F80B2	MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX	872 Maggiori informazioni su Ordine
FQD5N20LTF	MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK	804 Maggiori informazioni su Ordine
IRLMS1503TRPBF	MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6	5095 Maggiori informazioni su Ordine