FCD360N65S3R0

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Numero parte FCD360N65S3R0
LIXINC Part # FCD360N65S3R0
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FCD360N65S3R0 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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FCD360N65S3R0 Specifiche

Numero parte:FCD360N65S3R0
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:SuperFET® III
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:10A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:18 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:730 pF @ 400 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D-PAK (TO-252)
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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