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Numero parte | NTTFS6H850NTAG |
LIXINC Part # | NTTFS6H850NTAG |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NTTFS6H850NTAG Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NTTFS6H850NTAG |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 80 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 11A (Ta), 68A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 6V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 70µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 19 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1140 pF @ 40 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 3.2W (Ta), 107W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-WDFN (3.3x3.3) |
pacchetto/caso: | 8-PowerWDFN |
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In magazzino | 10958 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.88000 | $1.88 |
1500 | $0.95773 | $1436.595 |
3000 | $0.89168 | $2675.04 |
7500 | $0.85865 | $6439.875 |
10500 | $0.84064 | $8826.72 |
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