TK7E80W,S1X

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Numero parte TK7E80W,S1X
LIXINC Part # TK7E80W,S1X
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TK7E80W,S1X Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida)
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TK7E80W,S1X Specifiche

Numero parte:TK7E80W,S1X
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:DTMOSIV
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6.5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:950mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 280µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:700 pF @ 300 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):110W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220
pacchetto/caso:TO-220-3

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