SQS481ENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQS481ENW-T1_GE3 | SQS481ENW-T1

SQS481ENW-T1_GE3

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Numero parte	SQS481ENW-T1_GE3
LIXINC Part #	SQS481ENW-T1_GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SQS481ENW-T1_GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SQS481ENW-T1_GE3 Specifiche

Numero parte:	SQS481ENW-T1_GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	150 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	4.7A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.095Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	385 pF @ 75 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	62.5W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PowerPAK® 1212-8
pacchetto/caso:	PowerPAK® 1212-8

STP10LN80K5	MOSFET N-CH 800V 8A TO220	1699 Maggiori informazioni su Ordine
SI4436DY-T1-GE3	MOSFET N-CH 60V 8A 8SO	859 Maggiori informazioni su Ordine
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RSR020P05TL	MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3	3077 Maggiori informazioni su Ordine