SQJQ466E-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQJQ466E-T1_GE3 | SQJQ466E-T1

SQJQ466E-T1_GE3

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Numero parte	SQJQ466E-T1_GE3
LIXINC Part #	SQJQ466E-T1_GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SQJQ466E-T1_GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SQJQ466E-T1_GE3 Specifiche

Numero parte:	SQJQ466E-T1_GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	200A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	180 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	10210 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	150W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PowerPAK® 8 x 8
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

94-3316	MOSFET N-CH 55V 2A SOT223	906 Maggiori informazioni su Ordine
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