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IRFP3710PBF

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Numero parte	IRFP3710PBF
LIXINC Part #	IRFP3710PBF
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRFP3710PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 23 - Oct 27 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRFP3710PBF Specifiche

Numero parte:	IRFP3710PBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	57A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	190 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	3000 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	200W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-247AC
pacchetto/caso:	TO-247-3

IXTH440N055T2	MOSFET N-CH 55V 440A TO247	963 Maggiori informazioni su Ordine
AUIRF1324WL	MOSFET N-CH 24V 240A TO262-3	1038 Maggiori informazioni su Ordine
SI3443DV	MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6	10184 Maggiori informazioni su Ordine
FQI3N25TU	MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK	4640 Maggiori informazioni su Ordine
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DMN3067LW-7	MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323	57372 Maggiori informazioni su Ordine
SI2333DS-T1-GE3	MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3	4373 Maggiori informazioni su Ordine
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DMN31D5L-13	MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R	943 Maggiori informazioni su Ordine
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SI3469DV-T1-E3	MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP	21510 Maggiori informazioni su Ordine