DMTH8012LPSQ-13

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Numero parte DMTH8012LPSQ-13
LIXINC Part # DMTH8012LPSQ-13
Produttore Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD DMTH8012LPSQ-13 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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DMTH8012LPSQ-13 Specifiche

Numero parte:DMTH8012LPSQ-13
Marca:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:10A (Ta), 72A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:17mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:46.8 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2051 pF @ 40 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.6W (Ta), 136W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerDI5060-8
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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