BUZ73AE3046XK

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Numero parte BUZ73AE3046XK
LIXINC Part # BUZ73AE3046XK
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BUZ73AE3046XK Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BUZ73AE3046XK Specifiche

Numero parte:BUZ73AE3046XK
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:SIPMOS®
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:600mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:530 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):40W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO220-3
pacchetto/caso:TO-220-3

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