FQU2N90TU-AM002 | Rochester Electronics FQU2N90TU-AM002 | FQU2N90TU-AM002 Inventory, Best Pricing

FQU2N90TU-AM002

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Numero parte	FQU2N90TU-AM002
LIXINC Part #	FQU2N90TU-AM002
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 1.7A I-PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FQU2N90TU-AM002 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FQU2N90TU-AM002 Specifiche

Numero parte:	FQU2N90TU-AM002
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	QFET®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	900 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	1.7A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	7.2Ohm @ 850mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	500 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.5W (Ta), 50W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	I-PAK
pacchetto/caso:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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