Solo per riferimento
Numero parte | FDC658AP |
LIXINC Part # | FDC658AP |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FDC658AP Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FDC658AP |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | PowerTrench® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 4A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 50mOhm @ 4A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 8.1 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±25V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 470 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SuperSOT™-6 |
pacchetto/caso: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
IPD15N06S2L64ATMA1 | MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3 | 3316 Maggiori informazioni su Ordine |
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AOD600A70R | MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252 | 3356 Maggiori informazioni su Ordine |
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BUK6E2R3-40C,127 | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | 993 Maggiori informazioni su Ordine |
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RSU002P03T106 | MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3 | 13825 Maggiori informazioni su Ordine |
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NTMYS014N06CLTWG | MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK | 290012890 Maggiori informazioni su Ordine |
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PMCM650VNE023 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 995 Maggiori informazioni su Ordine |
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FDB8870 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 62424 Maggiori informazioni su Ordine |
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IPAW60R180P7SXKSA1 | MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 | 1768 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10944 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.57000 | $0.57 |
3000 | $0.19314 | $579.42 |
6000 | $0.18067 | $1084.02 |
15000 | $0.16821 | $2523.15 |
30000 | $0.15949 | $4784.7 |
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