IRFR13N15DPBF

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Numero parte IRFR13N15DPBF
LIXINC Part # IRFR13N15DPBF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFR13N15DPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRFR13N15DPBF Specifiche

Numero parte:IRFR13N15DPBF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):150 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:14A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:180mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:620 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):86W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D-Pak
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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