TPH2R306NH,L1Q

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Numero parte TPH2R306NH,L1Q
LIXINC Part # TPH2R306NH,L1Q
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TPH2R306NH,L1Q Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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TPH2R306NH,L1Q Specifiche

Numero parte:TPH2R306NH,L1Q
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVIII-H
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:60A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):6.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:2.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:72 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:6100 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta), 78W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SOP Advance (5x5)
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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