PHD101NQ03LT,118

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Numero parte PHD101NQ03LT,118
LIXINC Part # PHD101NQ03LT,118
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PHD101NQ03LT,118 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PHD101NQ03LT,118 Specifiche

Numero parte:PHD101NQ03LT,118
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:TrenchMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:75A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:5.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2.18 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):166W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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