AOB7S60L | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AOB7S60L

AOB7S60L

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Numero parte	AOB7S60L
LIXINC Part #	AOB7S60L
Produttore	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 7A TO263
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	AOB7S60L Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione

AOB7S60L Specifiche

Numero parte:	AOB7S60L
Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
serie:	aMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	7A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.9V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	8.2 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	372 pF @ 100 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	104W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-263 (D²Pak)
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

PHD101NQ03LT,118	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7	4993 Maggiori informazioni su Ordine
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AUIRF2907ZS7PTL	AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL	952 Maggiori informazioni su Ordine
IPB80N03S4L03	N-CHANNEL POWER MOSFET	2899 Maggiori informazioni su Ordine
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HUF75329D3	MOSFET N-CH 55V 20A IPAK	2607 Maggiori informazioni su Ordine