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Numero parte | FDD6632 |
LIXINC Part # | FDD6632 |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 9A DPAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FDD6632 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FDD6632 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | UltraFET™ |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 9A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 70mOhm @ 9A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 4 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 255 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 15W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | D-PAK (TO-252) |
pacchetto/caso: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
HUF75639G3 | MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3 | 5916 Maggiori informazioni su Ordine |
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IRF8788TRPBF | MOSFET N-CH 30V 24A 8SO | 1426 Maggiori informazioni su Ordine |
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IPB60R080P7ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK | 1962 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 18006 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
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